RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
19.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
37
69
Rund um -86% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.4
1,857.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
6400
Rund um 4 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
69
37
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,217.2
19.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,857.7
12.4
Speicherbandbreite, mbps
6400
25600
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
668
3355
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB RAM-Vergleiche
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link