RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Gesamtnote
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
15.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
35
69
Rund um -97% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.2
1,857.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
6400
Rund um 4 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
69
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,217.2
15.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,857.7
9.2
Speicherbandbreite, mbps
6400
25600
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
668
2488
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston HP32D4U2S1ME-8 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9905743-043.A00G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link