RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Gesamtnote
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
69
71
Rund um 3% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
14.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
1,857.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
69
71
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,217.2
14.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,857.7
8.0
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
668
1863
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9965662-009.A00G 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9965640-001.C00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Apacer Technology GD2.0927WH.001 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link