RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Gesamtnote
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
15.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
37
69
Rund um -86% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
1,857.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
69
37
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,217.2
15.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,857.7
12.0
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
668
2314
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB
Kingston XF875V-HYA 8GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link