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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
比较
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
总分
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
总分
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
69
左右 -86% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.0
1,857.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
37
读取速度,GB/s
4,217.2
15.6
写入速度,GB/s
1,857.7
12.0
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
668
2314
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology GD2.1129WH.001 16GB
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G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9965640-015.A00G 32GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
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