RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Gesamtnote
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
16.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
69
Rund um -130% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.1
1,857.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
69
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,217.2
16.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,857.7
12.1
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
668
2969
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMK128GX4M8Z2933C16 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMD32GX4M2B3000C15 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Corsair CMK32GX4M4B2800C14 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link