RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Gesamtnote
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
16.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
69
Rund um -130% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.1
1,857.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
69
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,217.2
16.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,857.7
12.1
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
668
2969
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD 4GB
Samsung M471B5273DH0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link