RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
69
Wokół strony -130% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.1
1,857.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
30
Prędkość odczytu, GB/s
4,217.2
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,857.7
12.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
668
2969
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston KHX2400C12D4/16GX 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905630-031.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C14 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link