RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Gesamtnote
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
17.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
69
Rund um -116% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.9
1,857.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
69
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,217.2
17.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,857.7
11.9
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
668
2853
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M2C3200C16 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link