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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Compara
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Puntuación global
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Puntuación global
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
17.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
69
En -116% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.9
1,857.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
69
32
Velocidad de lectura, GB/s
4,217.2
17.7
Velocidad de escritura, GB/s
1,857.7
11.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
668
2853
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
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