RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Compara
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Puntuación global
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Puntuación global
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.1
10.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.7
8.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
38
En -15% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
38
33
Velocidad de lectura, GB/s
14.1
10.3
Velocidad de escritura, GB/s
8.7
8.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2228
2235
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMT32GX4M4C3000C15 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston KHX2400C12D4/16GX 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston KHX2400C14S4/16G 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C16 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link