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Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
比较
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
总分
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
总分
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.1
10.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.7
8.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
38
左右 -15% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
33
读取速度,GB/s
14.1
10.3
写入速度,GB/s
8.7
8.1
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2228
2235
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
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Kingston 9965640-035.C00G 32GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
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Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
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