RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Gesamtnote
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
17.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
58
Rund um -71% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.5
1,950.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
58
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,241.0
17.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,950.7
14.5
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
651
3606
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston K531R8-MIN 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.CAGP7.40C0B 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link