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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Compara
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Puntuación global
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Puntuación global
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
17.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
58
En -71% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.5
1,950.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
58
34
Velocidad de lectura, GB/s
4,241.0
17.3
Velocidad de escritura, GB/s
1,950.7
14.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
651
3606
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
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Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
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