RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Gesamtnote
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
16.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
58
Rund um -87% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.6
1,950.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
6400
Rund um 4 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
58
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,241.0
16.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,950.7
14.6
Speicherbandbreite, mbps
6400
25600
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
651
3509
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Apacer Technology GD2.1129WH.001 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C16 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link