RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
58
Wokół strony -87% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.6
1,950.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
58
31
Prędkość odczytu, GB/s
4,241.0
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,950.7
14.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
651
3509
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CM4X16GE2400C14K4 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMK32GX4M2K3600C16 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston 9905702-029.A00G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link