RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Gesamtnote
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
19.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
18
58
Rund um -222% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.9
1,950.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
58
18
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,241.0
19.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,950.7
15.9
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
651
3063
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link