RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Comparez
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Note globale
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Note globale
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
19.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
18
58
Autour de -222% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.9
1,950.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
58
18
Vitesse de lecture, GB/s
4,241.0
19.4
Vitesse d'écriture, GB/s
1,950.7
15.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
651
3063
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Comparaison des RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Super Talent F3200UA8G 8GB
Samsung M378B2873GB0-CH9 1GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link