RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Gesamtnote
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
20.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
58
Rund um -100% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.1
1,950.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
58
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,241.0
20.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,950.7
16.1
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
651
3639
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
AMD AE34G2139U2 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link