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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Gesamtnote
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Gesamtnote
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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Gründe für die Berücksichtigung
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
45
Rund um -61% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.1
12.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.8
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
45
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
18.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
14.8
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1992
3564
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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