RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Сравнить
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB против Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
45
Около -61% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.1
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.8
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
28
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
18.1
Скорость записи, Гб/сек
8.0
14.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1992
3564
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston K821PJ-MIH 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Inmos + 256MB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3400C16 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston HX424C15FB/16 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link