Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB

Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB против Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB

Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB

Средняя оценка
star star star star star
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB

Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB

Различия

  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    28 left arrow 39
    Около -39% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    18.1 left arrow 13.7
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    14.8 left arrow 9.7
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    17000 left arrow 12800
    Около 1.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    39 left arrow 28
  • Скорость чтения, Гб/сек
    13.7 left arrow 18.1
  • Скорость записи, Гб/сек
    9.7 left arrow 14.8
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    12800 left arrow 17000
Other
  • Описание
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
  • Тайминги / частота
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2431 left arrow 3564
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения