RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Сравнить
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB против Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
39
Около -39% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.1
13.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.8
9.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
39
28
Скорость чтения, Гб/сек
13.7
18.1
Скорость записи, Гб/сек
9.7
14.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2431
3564
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB Сравнения RAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Essencore Limited KD48GU481-26N1600 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link