RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
45
Wokół strony -61% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.1
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.8
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
28
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
18.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
14.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
3564
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston 9905702-136.A00G 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMZ8GX3M2A2133C11 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link