RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
15.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
58
Rund um -87% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.8
1,950.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
58
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,241.0
15.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,950.7
9.8
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
651
2701
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3333C16 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 9905700-025.A00G 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Super Talent F24UB16GV 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link