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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB
Comparar
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
15.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
58
Por volta de -87% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.8
1,950.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
58
31
Velocidade de leitura, GB/s
4,241.0
15.1
Velocidade de escrita, GB/s
1,950.7
9.8
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
651
2701
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Comparações de RAM
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Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB
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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
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