RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
15.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
42
58
Rund um -38% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.7
1,950.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
6400
Rund um 4 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
58
42
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,241.0
15.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,950.7
13.7
Speicherbandbreite, mbps
6400
25600
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
651
2885
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6D1 4GB
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9905643-009.A00G 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link