Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB

Gesamtnote
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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Gesamtnote
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB

Unterschiede

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
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  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    36 left arrow 58
    Rund um -61% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    9.3 left arrow 4
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    7.0 left arrow 1,950.7
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    19200 left arrow 6400
    Rund um 3 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    58 left arrow 36
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    4,241.0 left arrow 9.3
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    1,950.7 left arrow 7.0
  • Speicherbandbreite, mbps
    6400 left arrow 19200
Other
  • Beschreibung
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    651 left arrow 1891
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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