RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Gesamtnote
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
58
99
Rund um 41% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
14.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.9
1,950.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
58
99
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,241.0
14.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,950.7
6.9
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
651
1499
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link