RAM-Vergleich Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB

Gesamtnote

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

45 46

Rund um 2% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

8.1 7.5

Durchschnittswert bei den Tests

Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB

Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

12 11.9

Durchschnittswert bei den Tests

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Timings / Taktgeschwindigkeit

9-9-9-24 / 1600 MHz 9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

2077 1959

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns