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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
Gesamtnote
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
45
46
Rund um 2% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
7.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
12
11.9
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR3
Latenzzeit in PassMark, ns
45
46
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.9
12.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
7.5
Speicherbandbreite, mbps
12800
12800
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2077
1959
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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