Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB

Pontuação geral
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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

Pontuação geral
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Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB

Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB

Diferenças

  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    45 left arrow 46
    Por volta de 2% menor latência
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    8.1 left arrow 7.5
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    12 left arrow 11.9
    Valor médio nos testes

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latência em PassMark, ns
    45 left arrow 46
  • Velocidade de leitura, GB/s
    11.9 left arrow 12.0
  • Velocidade de escrita, GB/s
    8.1 left arrow 7.5
  • Largura de banda de memória, mbps
    12800 left arrow 12800
Other
  • Descrição
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • Tempos / Velocidade do relógio
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    2077 left arrow 1959
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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