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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB

総合得点
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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

総合得点
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Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB

Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB 考慮すべき理由
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    45 left arrow 46
    周辺 2% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.1 left arrow 7.5
    テスト平均値
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB 考慮すべき理由
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    12 left arrow 11.9
    テスト平均値

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    45 left arrow 46
  • 読み出し速度、GB/s
    11.9 left arrow 12.0
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.1 left arrow 7.5
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 12800
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2077 left arrow 1959

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