RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
Porównaj
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
45
46
Wokół strony 2% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.1
7.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
12
11.9
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR3
Opóźnienie w PassMark, ns
45
46
Prędkość odczytu, GB/s
11.9
12.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
7.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
12800
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2077
1959
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G9P1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905713-028.A00G 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link