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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
比较
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
总分
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
总分
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
45
46
左右 2% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.1
7.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
12
11.9
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
45
46
读取速度,GB/s
11.9
12.0
写入速度,GB/s
8.1
7.5
内存带宽,mbps
12800
12800
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
排名PassMark (越多越好)
2077
1959
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB RAM的比较
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Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB RAM的比较
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G9P1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
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