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Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
比较
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
总分
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
差异
规格
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差异
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Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
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Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
46
左右 -64% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.5
12
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.6
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
28
读取速度,GB/s
12.0
13.5
写入速度,GB/s
7.5
10.6
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1959
2652
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMT32GX4M4K4000C19 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3733 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
AMD AE34G1601U1 4GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
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