RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Gesamtnote
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
11.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
47
58
Rund um -23% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.9
1,950.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
58
47
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,241.0
11.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,950.7
7.9
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
651
2227
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Kingston 9905678-177.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link