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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
比较
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
总分
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
总分
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
11.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
47
58
左右 -23% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
7.9
1,950.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
58
47
读取速度,GB/s
4,241.0
11.2
写入速度,GB/s
1,950.7
7.9
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
651
2227
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston XJ69DF-HYA 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
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