RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Gesamtnote
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
15.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
38
58
Rund um -53% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.1
1,950.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
58
38
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,241.0
15.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,950.7
15.1
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
651
3264
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 9905702-400.A00G 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link