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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Compara
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Puntuación global
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Puntuación global
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
15.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
38
58
En -53% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.1
1,950.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
58
38
Velocidad de lectura, GB/s
4,241.0
15.9
Velocidad de escritura, GB/s
1,950.7
15.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
651
3264
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
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Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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Corsair CMK32GX4M2B3333C16 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston KHX2400C12D4/16GX 16GB
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