RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gesamtnote
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
15.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
41
46
Rund um -12% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.1
1,519.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
3200
Rund um 6.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
41
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,909.8
15.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,519.2
14.1
Speicherbandbreite, mbps
3200
21300
Other
Beschreibung
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
241
3006
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Corsair CM2X2048-6400C5DHX 2GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link