RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gesamtnote
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
46
71
Rund um 35% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
13.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.2
1,519.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
3200
Rund um 6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
71
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,909.8
13.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,519.2
5.2
Speicherbandbreite, mbps
3200
19200
Other
Beschreibung
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
241
1344
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link