RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14M 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Corsair CMD32GX4M2C3200C14M 16GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gesamtnote
Corsair CMD32GX4M2C3200C14M 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMD32GX4M2C3200C14M 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
18
46
Rund um -156% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
21.3
2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.9
1,519.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
3200
Rund um 5.31 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14M 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
18
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,909.8
21.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,519.2
16.9
Speicherbandbreite, mbps
3200
17000
Other
Beschreibung
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
241
3836
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14M 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9905624-016.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905734-061.A00G 32GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston KHX2400C12D4/16GX 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M2B3000C15 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link