RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gesamtnote
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
16.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
46
Rund um -48% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.3
1,519.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
3200
Rund um 5.31 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,909.8
16.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,519.2
12.3
Speicherbandbreite, mbps
3200
17000
Other
Beschreibung
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
241
3072
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB RAM-Vergleiche
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link