RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gesamtnote
Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
16.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
46
Rund um -44% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.0
1,519.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
3200
Rund um 5.31 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,909.8
16.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,519.2
14.0
Speicherbandbreite, mbps
3200
17000
Other
Beschreibung
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
241
3462
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3733C17 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 99U5701-049.A00G 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link