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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gesamtnote
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
15.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
46
Rund um -53% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.0
1,519.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
3200
Rund um 6.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,909.8
15.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,519.2
11.0
Speicherbandbreite, mbps
3200
21300
Other
Beschreibung
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
Timings / Taktgeschwindigkeit
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
241
1847
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
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Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
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Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
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Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
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