RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gesamtnote
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
18.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
46
Rund um -70% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.6
1,519.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
3200
Rund um 5.31 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,909.8
18.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,519.2
15.6
Speicherbandbreite, mbps
3200
17000
Other
Beschreibung
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
241
3615
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Apacer Technology 78.BAGP4.AR50C 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link