RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gesamtnote
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
46
Rund um -84% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
20
2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
17.1
1,519.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
3200
Rund um 5.31 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,909.8
20.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,519.2
17.1
Speicherbandbreite, mbps
3200
17000
Other
Beschreibung
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
241
3886
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Corsair CMK64GX4M4C3333C16 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9965640-013.A01G 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link