RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gesamtnote
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
17.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
46
Rund um -84% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.0
1,519.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
3200
Rund um 6.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,909.8
17.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,519.2
16.0
Speicherbandbreite, mbps
3200
21300
Other
Beschreibung
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
241
3651
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston K821PJ-MIH 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston KF2933C17S4/32G 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link