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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
14.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
38
46
Rund um -21% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.9
1,519.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
3200
Rund um 6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
38
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,909.8
14.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,519.2
10.9
Speicherbandbreite, mbps
3200
19200
Other
Beschreibung
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
241
2638
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CM4B16G1J2400A16K2-O 16GB
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