RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
13.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
36
46
Rund um -28% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.8
1,519.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
3200
Rund um 6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
36
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,909.8
13.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,519.2
10.8
Speicherbandbreite, mbps
3200
19200
Other
Beschreibung
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
241
2690
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Essencore Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link