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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gesamtnote
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
17
46
Rund um -171% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
20.8
2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.8
1,519.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
3200
Rund um 6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
17
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,909.8
20.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,519.2
16.8
Speicherbandbreite, mbps
3200
19200
Other
Beschreibung
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
241
3623
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Kingston 9905668-002.A00G 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Kingston 9905665-009.A00G 4GB
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