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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gesamtnote
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
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Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
20.6
2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.2
1,519.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
3200
Rund um 8 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
46
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,909.8
20.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,519.2
13.2
Speicherbandbreite, mbps
3200
25600
Other
Beschreibung
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
3-3-3-12 / 400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
241
2973
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB RAM-Vergleiche
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Corsair VS1GB800D2 1GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
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